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ナノ振動子(Oscillator)
【解説】
両端を固定されたSiナノワイヤであり、x方向およびz方向に振動します。

デバイス構造
 
等価回路解析モデル
ナノ振動子  
構造タイプ シリコンナノ振動子
駆動源 静電場
出典 立命館大学

形状パラメータの定義図
形状パラメータは、形状パラメータの定義図を参照して値を設定して下さい。

形状パラメータ

パラメータ名

記号

接頭

単位

振動子の長さ

Lr

m

振動子の幅

Wr

m

振動子の厚み

ThiR

m

振動子の側面角

Angle

degree

振動子の振動子‐電極間距離

Gap

m

アンカーの横の長さ

Wa

m

アンカーの縦の長さ

La

m

電極の横の長さ

We

m

電極の縦の長さ

Le

m

電極のBOX層厚み ThiBOX m
抽出用パラメータ

ヤング率

young

Pa

密度

density

kg/m3

BOX層の比誘電率 permittivity

直流バイアス電圧

biasVolt

V

形状パラメータおよび抽出パラメータを設定後押下してください。
ただし、
機械構造パラメータを直接設定する場合は、これらの値を設定する必要はありません。

 

等価回路解析モデル図
機械構造パラメータは、等価回路解析モデル図を参照して値を設定して下さい。

機械構造パラメータ

パラメータ名

記号

接頭

単位

実効質量

massX

kg

massZ

kg

バネ定数(*1)

kSpringX

N/m

kSpringZ

N/m

基板ー電極間の容量

Cin

F

Cout

F

基板-振動子間の容量

Cres

F

振動子接続電極の浮遊容量

Cstray

F

直流動作点における振動子のたわみ

Z0

m

直流動作点における振動子-電極間の容量

C1

F

C2

F

直流動作点における振動子-電極容量の1階微分値

C1dx

F/m

C2dx

F/m

C1dz

F/m

C2dz

F/m

直流動作点における振動子-電極容量の1階微分値

C1dx2

F/m2

C2dx2

F/m2

C1dz2

F/m2

C2dz2

F/m2

C1dxdz

F/m2

C2dxdz

F/m2

直流バイアス電圧

biasVolt

V

機械抵抗

Rfx

Ns/m

Rfz

Ns/m

(*1) 左右4本の梁をバネ1本で表したときのバネ定数

ネットリストを生成後、ダウンロードできます。機械構造パラメータを設定してから押下してください。