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平行平板型デバイス
【解説】
上下2層、中空の平行平板デバイスです。

デバイス構造
 
等価回路解析モデル
 
構造タイプ 平行平板型
駆動源 静電場

形状パラメータの定義図
形状パラメータは、形状パラメータの定義図を参照して値を設定して下さい。

形状パラメータ

パラメータ名

記号

接頭

単位

ダイアフラム部厚み

ThiDiaphram

m

ダイアフラム部幅

WDiaphram

m

ダイアフラム部奥行き

LDiaphram

m

空洞部厚み

ThiCavity

(m2)

下部電極穴の面積

AreaHole

m

ダイアフラムの上部空気層厚み

ThiAirgap

m

抽出用パラメータ

ダイヤフラムヤング率

youngDiaphram

Pa

ダイヤフラムポアソン比

poissonDiaphram

-

ダイヤフラム密度

densityDiaphram

(kg/m3)

キャビティ部粘度 viscosity (Pa・s)

直流バイアス電圧

biasVolt

V

形状パラメータおよび抽出パラメータを設定後押下してください。
ただし、
機械構造パラメータを直接設定する場合は、これらの値を設定する必要はありません。

 

等価回路解析モデル図
機械構造パラメータは、等価回路解析モデル図を参照して値を設定して下さい。

機械構造パラメータ

パラメータ名

記号

接頭

単位

バネ定数

kSpringX

N/m

ダイアフラムの実効質量

mass

kg

直流動作点での平板間容量

C0

F

直流動作点での平板間距離

X0

m

ダイアフラムの面積

Area

m2

直流バイアス電圧

biasVolt

V

浮遊容量

Cstray

F

機械抵抗

Rf

Ns/m

(*1) 左右4本の梁をバネ1本で表したときのバネ定数

ネットリストを生成後、ダウンロードできます。機械構造パラメータを設定してから押下してください。